Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Single / NGTB20N135IHRWG
Herstellerteilenummer | NGTB20N135IHRWG |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NGTB20N135IHRWG |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NGTB20N135IHRWG Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 1350V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 40A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 120A |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 2.65V @ 15V, 20A |
Leistung max | 394W |
Energie wechseln | 600µJ (off) |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 234nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | -/245ns |
Testbedingung | 600V, 20A, 10 Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-247-3 |
Supplier Device Package | TO-247 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NGTB20N135IHRWG Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NGTB20N135IHRWG-FT |
RJP6085DPK-00#T0
Renesas Electronics America
RJH1CV7DPK-00#T0
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RJH1CV6DPK-00#T0
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RJH60D7ADPK-00#T0
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RJH60D7DPK-00#T0
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RJH60F0DPK-00#T0
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RJP60D0DPK-00#T0
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RJH60F6DPK-00#T0
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RJH1CV5DPK-00#T0
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