Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Single / NGTB35N65FL2WG
Herstellerteilenummer | NGTB35N65FL2WG |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NGTB35N65FL2WG |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NGTB35N65FL2WG Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 650V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 70A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 120A |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 35A |
Leistung max | 300W |
Energie wechseln | 840µJ (on), 280µJ (off) |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 125nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | 72ns/132ns |
Testbedingung | 400V, 35A, 10 Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | 68ns |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-247-3 |
Supplier Device Package | TO-247 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NGTB35N65FL2WG Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NGTB35N65FL2WG-FT |
RJH60F0DPK-00#T0
Renesas Electronics America
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Renesas Electronics America
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Renesas Electronics America
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Renesas Electronics America
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Lattice Semiconductor Corporation
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Xilinx Inc.
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Intel
5CGXFC7B6M15I7N
Intel
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Intel
XC7S15-1CSGA225C
Xilinx Inc.
A42MX24-TQ176M
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
A54SX08-1FGG144I
Microsemi Corporation
EP4CE40F29I8LN
Intel