Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Single / NGTB50N65FL2WG
Herstellerteilenummer | NGTB50N65FL2WG |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NGTB50N65FL2WG |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NGTB50N65FL2WG Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 650V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 200A |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 50A |
Leistung max | 417W |
Energie wechseln | 1.5mJ (on), 460µJ (off) |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 220nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | 100ns/237ns |
Testbedingung | 400V, 50A, 10 Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | 94ns |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-247-3 |
Supplier Device Package | TO-247-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NGTB50N65FL2WG Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NGTB50N65FL2WG-FT |
RJP6085DPN-00#T2
Renesas Electronics America
RJH60M1DPE-00#J3
Renesas Electronics America
RJP60D0DPE-00#J3
Renesas Electronics America
RJH60A83RDPE-00#J3
Renesas Electronics America
RJH60A85RDPE-00#J3
Renesas Electronics America
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Renesas Electronics America
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Renesas Electronics America
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Renesas Electronics America
RJH60M2DPE-00#J3
Renesas Electronics America
RJH60M3DPE-00#J3
Renesas Electronics America
EX256-TQG100
Microsemi Corporation
XCV600E-6FG900I
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQ240I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2FGG484
Microsemi Corporation
EP20K400EFC672-2X
Intel
10AX016C4U19E3LG
Intel
LFXP10E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H4F34I3SG
Intel
EP2AGX260FF35C5N
Intel
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Intel