Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / NGTD17R120F2WP
Herstellerteilenummer | NGTD17R120F2WP |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NGTD17R120F2WP |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NGTD17R120F2WP Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | - |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 35A |
Geschwindigkeit | - |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1µA @ 1200V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | Die |
Supplier Device Package | Die |
Betriebstemperatur - Übergang | 175°C (Max) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NGTD17R120F2WP Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NGTD17R120F2WP-FT |
CD214B-B260R
Bourns Inc.
CD214B-B3100R
Bourns Inc.
CD214B-B320R
Bourns Inc.
CD214B-B360R
Bourns Inc.
CD214B-FS2D
Bourns Inc.
CD214B-FS2G
Bourns Inc.
CD214B-FS2J
Bourns Inc.
CD214B-FS2K
Bourns Inc.
CD214B-FS3D
Bourns Inc.
CD214B-FS3J
Bourns Inc.
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel