Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / NGTD9R120F2WP
Herstellerteilenummer | NGTD9R120F2WP |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NGTD9R120F2WP |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NGTD9R120F2WP Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | - |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 2.6V @ 15A |
Geschwindigkeit | - |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1µA @ 1200V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | Die |
Supplier Device Package | Die |
Betriebstemperatur - Übergang | 175°C (Max) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NGTD9R120F2WP Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NGTD9R120F2WP-FT |
CD214C-B320R
Bourns Inc.
CD214C-B3100R
Bourns Inc.
CD214C-B340R
Bourns Inc.
CD214C-B360R
Bourns Inc.
CD214C-FS3D
Bourns Inc.
CD214C-FS3G
Bourns Inc.
CD214C-FS3J
Bourns Inc.
CD214C-S3D
Bourns Inc.
CD214C-S3G
Bourns Inc.
CD214C-S3J
Bourns Inc.
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel