Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / NIF9N05CLT1
Herstellerteilenummer | NIF9N05CLT1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NIF9N05CLT1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NIF9N05CLT1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 52V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 2.6A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 3V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 2.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±15V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 35V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.69W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | SOT-223 |
Paket / fall | TO-261-4, TO-261AA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NIF9N05CLT1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NIF9N05CLT1-FT |
NDD60N550U1-1G
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NDD60N550U1-35G
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