Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / NJD35N04G
Herstellerteilenummer | NJD35N04G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NJD35N04G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NJD35N04G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN - Darlington |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 4A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 350V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 1.5V @ 20mA, 2A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 50µA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 2000 @ 2A, 2V |
Leistung max | 45W |
Frequenz - Übergang | 90MHz |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Supplier Device Package | DPAK |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NJD35N04G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NJD35N04G-FT |
MMBT3904WT1G
ON Semiconductor
SMMBTA56WT3G
ON Semiconductor
BC847CWT3G
ON Semiconductor
SBC847CWT3G
ON Semiconductor
BC847CWT1G
ON Semiconductor
SMSD1819A-RT1G
ON Semiconductor
MMBTA56WT1G
ON Semiconductor
MMBT2907AWT1G
ON Semiconductor
SBC856BWT1G
ON Semiconductor
MMBT3906WT1G
ON Semiconductor
M2GL050T-FCSG325
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256
Microsemi Corporation
5SGXEA3K1F40C2N
Intel
EP4SE360H29C3N
Intel
10AX032E3F27E2LG
Intel
10AX022E4F29I3LG
Intel
XA7A35T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP3SL110F780I4L
Intel