Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / NJVMJD117T4G
Herstellerteilenummer | NJVMJD117T4G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NJVMJD117T4G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NJVMJD117T4G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Darlington |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 2A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 100V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 20µA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
Leistung max | 1.75W |
Frequenz - Übergang | 25MHz |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Supplier Device Package | DPAK |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NJVMJD117T4G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NJVMJD117T4G-FT |
MMBT4401WT1
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MMBTA06WT1
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A54SX16A-1TQG144
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5SGXEB6R2F40C3N
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5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD4E2H29I2LN
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XC4010XL-3PC84I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG144M
Microsemi Corporation
EP2S90F1020I4
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