Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / NJVMJD45H11G
Herstellerteilenummer | NJVMJD45H11G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NJVMJD45H11G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NJVMJD45H11G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 8A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 1V @ 400mA, 8A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1µA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 40 @ 4A, 1V |
Leistung max | 1.75W |
Frequenz - Übergang | 90MHz |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Supplier Device Package | DPAK |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NJVMJD45H11G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NJVMJD45H11G-FT |
BC848BWT1G
ON Semiconductor
BC856BWT1G
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MMBT4401WT1G
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15C01M-TL-E
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XC3S50A-4TQ144I
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XC4005E-3PQ100I
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XC6SLX100T-N3FG484I
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EP3SL70F484C4L
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XC5VLX330-1FFG1760C
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M1AGL1000V5-FG144
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A42MX16-PQG100A
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LFEC6E-4Q208I
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LCMXO2-2000UHC-5FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090H3F34E2LG
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