Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / NJVNJD1718T4G
Herstellerteilenummer | NJVNJD1718T4G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NJVNJD1718T4G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NJVNJD1718T4G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 2A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 1A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 70 @ 500mA, 2V |
Leistung max | 1.68W |
Frequenz - Übergang | 80MHz |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Supplier Device Package | DPAK |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NJVNJD1718T4G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NJVNJD1718T4G-FT |
BC857CWT1
ON Semiconductor
BC858AWT1
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BC858BWT1
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MMBT2222AWT1
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MMBT3904WT1
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MMBTA56WT1
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A54SX16A-2FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FTN256I
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EP2C50F672C7N
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EP3C5U256C7
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5SGXEA9N3F45C2N
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XC7VX485T-3FFG1157E
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XC2V8000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-9400E-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C3
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EP1C4F400I7N
Intel