Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / NJVNJD35N04G
Herstellerteilenummer | NJVNJD35N04G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NJVNJD35N04G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NJVNJD35N04G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN - Darlington |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 4A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 350V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 1.5V @ 20mA, 2A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 50µA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 2000 @ 2A, 2V |
Leistung max | 45W |
Frequenz - Übergang | 90MHz |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Supplier Device Package | DPAK |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NJVNJD35N04G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NJVNJD35N04G-FT |
MMBT4401WT1G
ON Semiconductor
BC847AWT1G
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BC857CWT1G
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SBC846BWT1G
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15C01M-TL-E
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SBC847CWT1G
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BC846BWT1G
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EPF10K30ETI144-3
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LFXP3C-4TN100I
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XA7A75T-1FGG484Q
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EP2AGX65DF25I5
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5SGSMD8N2F45C2N
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XC5VLX50T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
LFEC10E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF8452ALC84-2
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