Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / NJVNJD35N04T4G
Herstellerteilenummer | NJVNJD35N04T4G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NJVNJD35N04T4G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NJVNJD35N04T4G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN - Darlington |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 4A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 350V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 1.5V @ 20mA, 2A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 50µA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 2000 @ 2A, 2V |
Leistung max | 45W |
Frequenz - Übergang | 90MHz |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Supplier Device Package | DPAK |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NJVNJD35N04T4G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NJVNJD35N04T4G-FT |
MMBT3904TT1G
ON Semiconductor
NSVBC857BTT1G
ON Semiconductor
MMBT2222ATT3G
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BC847BTT1G
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BC857BTT1G
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MMBT2222ATT1G
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S2SA1774G
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NSVBC847BTT1G
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EPF10K10ATC144-3N
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XC2S150-6FG456C
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LFE2-12SE-5QN208C
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A3P250-2FGG256I
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M7A3P1000-1FGG256
Microsemi Corporation
ICE65L08F-TCB132I
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EP4CE15E22I7N
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LFE3-95EA-6LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C6N
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EP20K1000CF33C8N
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