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Herstellerteilenummer | NP05DB4R7M |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NP05DB4R7M |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | N, P Type |
NP05DB4R7M Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Art | - |
Material - Kern | - |
Induktivität | 4.7µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 2.2A |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 49 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | 35MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -25°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | Nonstandard |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.240" L x 0.232" W (6.10mm x 5.90mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.110" (2.80mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NP05DB4R7M Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NP05DB4R7M-FT |
N08DPA271K
Taiyo Yuden
N08DPA2R2M
Taiyo Yuden
N08DPA330K
Taiyo Yuden
N08DPA331K
Taiyo Yuden
N08DPA390K
Taiyo Yuden
N08DPA391K
Taiyo Yuden
N08DPA3R3M
Taiyo Yuden
N08DPA470K
Taiyo Yuden
N08DPA471K
Taiyo Yuden
N08DPA4R7M
Taiyo Yuden
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel