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Renesas Electronics America NP109N055PUJ-E1B-AY

Name: NP109N055PUJ-E1B-AY
Brand: Renesas Electronics America
SKU: NP109N055PUJ-E1B-AY
Availability: InStock
Rating: 4.6 (19 reviews)

MFG-Teilenummer: NP109N055PUJ-E1B-AY

verfügbare Anzahl: 42660 Stücke

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Hersteller: Renesas Electronics America

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: NP109N055PUJ-E1B-AY.pdf

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NP109N055PUJ-E1B-AY Spezifikationen

Herstellerteilenummer	NP109N055PUJ-E1B-AY
Zukünftige Teilenummer	FT-NP109N055PUJ-E1B-AY
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
NP109N055PUJ-E1B-AY Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	110A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.2 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	180nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	10350pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	1.8W (Ta), 220W (Tc)
Betriebstemperatur	175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	TO-263
Paket / fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NP109N055PUJ-E1B-AY Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	NP109N055PUJ-E1B-AY-FT

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