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Renesas Electronics America NP33N06YDG-E1-AY

Name: NP33N06YDG-E1-AY
Brand: Renesas Electronics America
SKU: NP33N06YDG-E1-AY
Availability: InStock
Rating: 5.0 (410 reviews)

MFG-Teilenummer: NP33N06YDG-E1-AY

verfügbare Anzahl: 14210 Stücke

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Hersteller: Renesas Electronics America

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 60V 33A 8HSON

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: NP33N06YDG-E1-AY.pdf

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NP33N06YDG-E1-AY Spezifikationen

Herstellerteilenummer	NP33N06YDG-E1-AY
Zukünftige Teilenummer	FT-NP33N06YDG-E1-AY
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
NP33N06YDG-E1-AY Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	33A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	78nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3900pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	1W (Ta), 97W (Tc)
Betriebstemperatur	175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	8-HSON
Paket / fall	8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NP33N06YDG-E1-AY Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	NP33N06YDG-E1-AY-FT

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