Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / NP55N055SDG-E1-AY
Herstellerteilenummer | NP55N055SDG-E1-AY |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NP55N055SDG-E1-AY |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NP55N055SDG-E1-AY Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 55V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 55A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5 mOhm @ 28A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 96nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4800pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.2W (Ta), 77W (Tc) |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | TO-252 (MP-3ZK) |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NP55N055SDG-E1-AY Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NP55N055SDG-E1-AY-FT |
IRLR7807ZCTRRP
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IRLR7807ZPBF
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