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Herstellerteilenummer | NR3012T2R2M |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NR3012T2R2M |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | NR |
NR3012T2R2M Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 2.2µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 1.2A |
Strom - Sättigung | 1.1A |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 96 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | 70MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -25°C ~ 120°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 100kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | Nonstandard |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.047" (1.20mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NR3012T2R2M Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NR3012T2R2M-FT |
NR6045T150M
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XC4VFX100-10FF1517C
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XC7A12T-2CSG325C
Xilinx Inc.
LAXP2-17E-5QN208E
Lattice Semiconductor Corporation
AFS600-1FG256K
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C7
Intel
EP4CE10F17I8LN
Intel
5SGXEA7K3F40C2
Intel
XC7V2000T-1FHG1761C
Xilinx Inc.
LFXP10C-4FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX360FF35C2X
Intel