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Herstellerteilenummer | NR3012T3R3M |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NR3012T3R3M |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | NR |
NR3012T3R3M Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 3.3µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 1.05A |
Strom - Sättigung | 910mA |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 120 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | 55MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -25°C ~ 120°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 100kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | Nonstandard |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.047" (1.20mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NR3012T3R3M Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NR3012T3R3M-FT |
NR6045T101M
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NR6012T4R0NE
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LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV800-5FG676C
Xilinx Inc.
M1A3P600-FG256I
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
XC4020XL-1HT176I
Xilinx Inc.
EP2AGX45DF25C4N
Intel
XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I3N
Intel