Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / NSB8GTHE3_A/P
Herstellerteilenummer | NSB8GTHE3_A/P |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NSB8GTHE3_A/P |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
NSB8GTHE3_A/P Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 400V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 8A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 8A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 400V |
Kapazität @ Vr, F | 55pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package | TO-263AB |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSB8GTHE3_A/P Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSB8GTHE3_A/P-FT |
BAY80-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAY80-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4148-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4150TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4154TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4448TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV21-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF10K20TC144-3N
Intel
LFE2-20SE-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V5-ZCSG81
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-1
Intel
10AX032H4F35E3SG
Intel
XC7VX1140T-1FLG1926C
Xilinx Inc.
10AX090R1F40E1SG
Intel
EP3SL70F780C3
Intel