Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / NSB8JT-E3/81
Herstellerteilenummer | NSB8JT-E3/81 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NSB8JT-E3/81 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NSB8JT-E3/81 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 8A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 8A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 600V |
Kapazität @ Vr, F | 55pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package | TO-263AB |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSB8JT-E3/81 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSB8JT-E3/81-FT |
VBT3080S-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB1635PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT4045BP-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3045BP-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETH3006S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETX06SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1645-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT4045BP-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16JT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20100S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel