Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / NSB8JTHE3_A/P
Herstellerteilenummer | NSB8JTHE3_A/P |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NSB8JTHE3_A/P |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
NSB8JTHE3_A/P Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 8A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 8A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 600V |
Kapazität @ Vr, F | 55pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package | TO-263AB |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSB8JTHE3_A/P Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSB8JTHE3_A/P-FT |
1N4148-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4150TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4154TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4448TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV21-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4150TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4154TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel