Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / NSBA113EF3T5G
Herstellerteilenummer | NSBA113EF3T5G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NSBA113EF3T5G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NSBA113EF3T5G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 1 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 1 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 3 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 254mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-1123 |
Supplier Device Package | SOT-1123 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSBA113EF3T5G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSBA113EF3T5G-FT |
MUN2211T1G
ON Semiconductor
MMUN2133LT1G
ON Semiconductor
MMUN2113LT1G
ON Semiconductor
MMUN2231LT1G
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MUN2211T3G
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MMUN2213LT1G
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MMUN2215LT1G
ON Semiconductor
MUN2214T1G
ON Semiconductor
MUN2233T1G
ON Semiconductor
MUN2113T1G
ON Semiconductor
XC7A35T-2CSG325I
Xilinx Inc.
10CX150YF672E6G
Intel
5SGSMD5H2F35I3LN
Intel
5SGXMA3K3F35I3N
Intel
5SGXMA4K3F35I3
Intel
XC2V4000-5FF1152I
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-8LMG328I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I5G
Intel