Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / NSBA114TDP6T5G
Herstellerteilenummer | NSBA114TDP6T5G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NSBA114TDP6T5G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NSBA114TDP6T5G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 408mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-963 |
Supplier Device Package | SOT-963 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSBA114TDP6T5G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSBA114TDP6T5G-FT |
DMG563H10R
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A42MX09-3PQG100
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M2GL025-1VFG256
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EP1K30FC256-2N
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10CX150YF672I5G
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10M04SCE144C7G
Intel
XC5VLX330-2FF1760C
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XA7S25-1CSGA225I
Xilinx Inc.
LFXP2-40E-6FN672I
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LFEC15E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C2
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