Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / NSBA114YF3T5G
Herstellerteilenummer | NSBA114YF3T5G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NSBA114YF3T5G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NSBA114YF3T5G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 254mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-1123 |
Supplier Device Package | SOT-1123 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSBA114YF3T5G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSBA114YF3T5G-FT |
MMUN2215LT1G
ON Semiconductor
MUN2214T1G
ON Semiconductor
MUN2233T1G
ON Semiconductor
MUN2113T1G
ON Semiconductor
SMMUN2111LT1G
ON Semiconductor
SMMUN2233LT1G
ON Semiconductor
SMUN2212T1G
ON Semiconductor
MMUN2212LT1G
ON Semiconductor
MMUN2240LT1G
ON Semiconductor
NSVMMUN2133LT1G
ON Semiconductor
AGLN010V5-UCG36
Microsemi Corporation
LFE2M100E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
AGL060V5-VQG100
Microsemi Corporation
10M25DCF484I7G
Intel
5SGXEB6R2F40C3
Intel
5SGXMA7H2F35C2LN
Intel
EP3SL150F1152C2
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XC4VLX160-11FF1148C
Xilinx Inc.
EPF8452AQC160-3AC
Intel