Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / NSBA114YF3T5G
Herstellerteilenummer | NSBA114YF3T5G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NSBA114YF3T5G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NSBA114YF3T5G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 254mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-1123 |
Supplier Device Package | SOT-1123 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSBA114YF3T5G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSBA114YF3T5G-FT |
MMUN2215LT1G
ON Semiconductor
MUN2214T1G
ON Semiconductor
MUN2233T1G
ON Semiconductor
MUN2113T1G
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SMMUN2111LT1G
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SMMUN2233LT1G
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SMUN2212T1G
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MMUN2212LT1G
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MMUN2240LT1G
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NSVMMUN2133LT1G
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XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
A54SX08A-1PQG208
Microsemi Corporation
LAE5UM-45F-6BG381E
Lattice Semiconductor Corporation
EPF6010ATC100-1N
Intel
EP4S100G3F45I3
Intel
5SGXEB6R2F43C2N
Intel
XC6SLX9-L1CSG225C
Xilinx Inc.
EPF8282ALC84-4
Intel
5SGXEA3H3F35I4N
Intel