Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / NSBA115EDXV6T1G
ON Semiconductor NSBA115EDXV6T1G
- MFG-Teilenummer
- NSBA115EDXV6T1G
- verfügbare Anzahl
- 35250 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.08316
- Unser Preis
- Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns
- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- ON Semiconductor
- Kurze Beschreibung
- - TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- NSBA115EDXV6T1G.pdf
NSBA115EDXV6T1G Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | NSBA115EDXV6T1G |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-NSBA115EDXV6T1G |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| NSBA115EDXV6T1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| Transistortyp | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
| Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
| Widerstand - Basis (R1) | 100 kOhms |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 100 kOhms |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
| Frequenz - Übergang | - |
| Leistung max | 500mW |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / fall | SOT-563, SOT-666 |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| NSBA115EDXV6T1G Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | NSBA115EDXV6T1G-FT |
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