Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / NSBA123JDP6T5G
Herstellerteilenummer | NSBA123JDP6T5G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NSBA123JDP6T5G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NSBA123JDP6T5G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 408mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-963 |
Supplier Device Package | SOT-963 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSBA123JDP6T5G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSBA123JDP6T5G-FT |
DMA5610F0R
Panasonic Electronic Components
DMA5610H0R
Panasonic Electronic Components
DMA5610M0R
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DMC561010R
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DMC561020R
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DMC561030R
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DMC561040R
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DMC561060R
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DMC5610L0R
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DMC5610M0R
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XC6SLX16-2FT256C
Xilinx Inc.
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A40MX02-3PLG68I
Microsemi Corporation
5CGXFC4C6F27C6N
Intel
5SGSED6K3F40C2L
Intel
EP4SE530F43I3N
Intel
A42MX09-3PL84
Microsemi Corporation
APA450-FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VRC240-1N
Intel