Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / NSBA124EF3T5G
Herstellerteilenummer | NSBA124EF3T5G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NSBA124EF3T5G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NSBA124EF3T5G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 22 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 22 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 254mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-1123 |
Supplier Device Package | SOT-1123 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSBA124EF3T5G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSBA124EF3T5G-FT |
MUN2113T1G
ON Semiconductor
SMMUN2111LT1G
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SMMUN2233LT1G
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A40MX02-VQG80A
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10M40DCF256C7G
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10AX027E3F29I2SG
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