Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / NSBA124EF3T5G
Herstellerteilenummer | NSBA124EF3T5G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NSBA124EF3T5G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NSBA124EF3T5G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 22 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 22 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 254mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-1123 |
Supplier Device Package | SOT-1123 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSBA124EF3T5G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSBA124EF3T5G-FT |
MUN2113T1G
ON Semiconductor
SMMUN2111LT1G
ON Semiconductor
SMMUN2233LT1G
ON Semiconductor
SMUN2212T1G
ON Semiconductor
MMUN2212LT1G
ON Semiconductor
MMUN2240LT1G
ON Semiconductor
NSVMMUN2133LT1G
ON Semiconductor
NSVMMUN2232LT1G
ON Semiconductor
SMMUN2214LT1G
ON Semiconductor
MMUN2116LT1G
ON Semiconductor
EX64-TQG64I
Microsemi Corporation
XCVU080-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z2QNG48
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256M
Microsemi Corporation
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484C4L
Intel
5SGXMB5R2F43C2LN
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
APA150-TQ100
Microsemi Corporation
5AGXFA7H4F35C4N
Intel