Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / NSBC114EPDXV6T5G
Herstellerteilenummer | NSBC114EPDXV6T5G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NSBC114EPDXV6T5G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NSBC114EPDXV6T5G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 500mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-563, SOT-666 |
Supplier Device Package | SOT-563 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSBC114EPDXV6T5G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSBC114EPDXV6T5G-FT |
XP0121400L
Panasonic Electronic Components
XP0111200L
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XN0111000L
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XA2S150E-6FT256Q
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XC3S4000L-4FGG900C
Xilinx Inc.
XC4020XL-3PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7VX330T-2FF1157I
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F45I2LG
Intel
EP3C40F324A7N
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