Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / NSBC115EPDXV6T1G
Herstellerteilenummer | NSBC115EPDXV6T1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NSBC115EPDXV6T1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
NSBC115EPDXV6T1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 100 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 100 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 357mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-563, SOT-666 |
Supplier Device Package | SOT-563 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSBC115EPDXV6T1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSBC115EPDXV6T1G-FT |
PRMH13Z
Nexperia USA Inc.
PUMD3,115
Nexperia USA Inc.
PUMD9,115
Nexperia USA Inc.
PUMD12,115
Nexperia USA Inc.
PUMD16,115
Nexperia USA Inc.
PUMH2,115
Nexperia USA Inc.
PUMD2,115
Nexperia USA Inc.
PUMB2,115
Nexperia USA Inc.
PUMH13,115
Nexperia USA Inc.
PUMH7,115
Nexperia USA Inc.
XA2S150E-6FT256Q
Xilinx Inc.
XC3S4000L-4FGG900C
Xilinx Inc.
XC4020XL-3PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7VX330T-2FF1157I
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F45I2LG
Intel
EP3C40F324A7N
Intel