Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / NSBC115EPDXV6T1G
Herstellerteilenummer | NSBC115EPDXV6T1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NSBC115EPDXV6T1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
NSBC115EPDXV6T1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 100 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 100 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 357mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-563, SOT-666 |
Supplier Device Package | SOT-563 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSBC115EPDXV6T1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSBC115EPDXV6T1G-FT |
PRMH13Z
Nexperia USA Inc.
PUMD3,115
Nexperia USA Inc.
PUMD9,115
Nexperia USA Inc.
PUMD12,115
Nexperia USA Inc.
PUMD16,115
Nexperia USA Inc.
PUMH2,115
Nexperia USA Inc.
PUMD2,115
Nexperia USA Inc.
PUMB2,115
Nexperia USA Inc.
PUMH13,115
Nexperia USA Inc.
PUMH7,115
Nexperia USA Inc.
AGLN030V2-ZQNG68I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC144-1N
Intel
XC7A200T-2FBG676C
Xilinx Inc.
EP4CE15F17C9LN
Intel
5SGXEB6R2F40C2LN
Intel
EP3SL340F1517I3N
Intel
EP4S100G5H40I3N
Intel
LFEC3E-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100BC356-2
Intel
EP1K100QC208-2
Intel