Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / NSBC115EPDXV6T1G
Herstellerteilenummer | NSBC115EPDXV6T1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NSBC115EPDXV6T1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
NSBC115EPDXV6T1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 100 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 100 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 357mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-563, SOT-666 |
Supplier Device Package | SOT-563 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSBC115EPDXV6T1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSBC115EPDXV6T1G-FT |
PRMH13Z
Nexperia USA Inc.
PUMD3,115
Nexperia USA Inc.
PUMD9,115
Nexperia USA Inc.
PUMD12,115
Nexperia USA Inc.
PUMD16,115
Nexperia USA Inc.
PUMH2,115
Nexperia USA Inc.
PUMD2,115
Nexperia USA Inc.
PUMB2,115
Nexperia USA Inc.
PUMH13,115
Nexperia USA Inc.
PUMH7,115
Nexperia USA Inc.
EX256-TQ100
Microsemi Corporation
XC2VP20-5FG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX100-3FG676C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CSG325I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
AGL030V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4SGX290KF40C4N
Intel
LFXP2-8E-5FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP1K-CM81TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400ERC240-3
Intel