Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / NSBC123JPDP6T5G
Herstellerteilenummer | NSBC123JPDP6T5G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NSBC123JPDP6T5G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NSBC123JPDP6T5G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 339mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-963 |
Supplier Device Package | SOT-963 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSBC123JPDP6T5G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSBC123JPDP6T5G-FT |
DMC561030R
Panasonic Electronic Components
DMC561040R
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DMC561060R
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DMG563020R
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DMG563H10R
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XC6SLX75-N3CSG484I
Xilinx Inc.
APA750-FG896
Microsemi Corporation
A3P400-2FGG484I
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FG256I
Microsemi Corporation
A42MX36-3PQ208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
10AX027H2F34I2SG
Intel
5SGXMA7N3F45C2N
Intel
5SGSMD8N2F45I3LN
Intel
XC5VTX150T-1FFG1156C
Xilinx Inc.