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Herstellerteilenummer | NSDEMP11XV6T5 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NSDEMP11XV6T5 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NSDEMP11XV6T5 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodenkonfiguration | 2 Pair Common Anode |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 80V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 100mA (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 100mA |
Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Reverse Recovery Time (trr) | 4ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100nA @ 70V |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-563, SOT-666 |
Supplier Device Package | SOT-563 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSDEMP11XV6T5 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSDEMP11XV6T5-FT |
NTST30100CTG
ON Semiconductor
MBR40L60CTG
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MBR40L45CTG
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MUR1610CTG
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NTST20U100CTG
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MBR10L60CTG
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MBR2080CTG
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MBR2090CTG
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MBR4015CTLG
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MBR20200CTG
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XC2V80-5FGG256C
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XC6VLX130T-3FFG484C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
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AFS250-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-1PQG208
Microsemi Corporation
EP3CLS70U484C8N
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5SGSMD4K3F40I3L
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EP2AGX65DF25C4G
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EP3SE260F1152I4N
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EP2AGX95EF35C6N
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