Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / NSS40200UW6T1G
Herstellerteilenummer | NSS40200UW6T1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NSS40200UW6T1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NSS40200UW6T1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 2A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 40V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 20mA, 2A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 150 @ 1A, 2V |
Leistung max | 875mW |
Frequenz - Übergang | 140MHz |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-WDFN Exposed Pad |
Supplier Device Package | 6-WDFN (2x2) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSS40200UW6T1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSS40200UW6T1G-FT |
NJVMJD44E3T4G
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MJD5731T4G
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AGLN015V2-QNG68I
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XCS30XL-4VQG100C
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APA300-FG256I
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A54SX16P-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEBBR2H43C2N
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XC7VX485T-2FF1761C
Xilinx Inc.
A40MX04-3PQ100
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F672I
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5CEFA4U19C7N
Intel