Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays / NSS40300DDR2G
Herstellerteilenummer | NSS40300DDR2G |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-NSS40300DDR2G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NSS40300DDR2G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 2 PNP (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 3A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 40V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 170mV @ 200mA, 2A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 180 @ 1A, 2V |
Leistung max | 653mW |
Frequenz - Übergang | 100MHz |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Supplier Device Package | 8-SOIC |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSS40300DDR2G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSS40300DDR2G-FT |
NST3946DXV6T5G
ON Semiconductor
NSVEMT1DXV6T1G
ON Semiconductor
BC858CDXV6T1G
ON Semiconductor
BC847CDXV6T1G
ON Semiconductor
NST3906DXV6T1G
ON Semiconductor
BC847BPDXV6T1G
ON Semiconductor
NST3904DXV6T1G
ON Semiconductor
NST30010MXV6T1G
ON Semiconductor
NSVEMT1DXV6T5G
ON Semiconductor
NSVEMX1DXV6T1G
ON Semiconductor
EX64-TQ64I
Microsemi Corporation
A54SX08A-TQG144I
Microsemi Corporation
A54SX32A-TQG144I
Microsemi Corporation
XC6SLX16-3FT256C
Xilinx Inc.
M1AFS600-2FG256
Microsemi Corporation
5CGXFC4C6F27I7N
Intel
EP4CGX75CF23C6
Intel
5SGXEBBR3H43I4N
Intel
XC2VP7-5FFG672C
Xilinx Inc.
AGL125V5-FGG144
Microsemi Corporation