Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays / NSS40300DDR2G
Herstellerteilenummer | NSS40300DDR2G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NSS40300DDR2G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NSS40300DDR2G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 2 PNP (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 3A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 40V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 170mV @ 200mA, 2A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 180 @ 1A, 2V |
Leistung max | 653mW |
Frequenz - Übergang | 100MHz |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Supplier Device Package | 8-SOIC |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSS40300DDR2G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSS40300DDR2G-FT |
NST3946DXV6T5G
ON Semiconductor
NSVEMT1DXV6T1G
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BC858CDXV6T1G
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A3PN020-1QNG68I
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5SGSMD5K3F40I4N
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5SGXMABK2H40I3N
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5SGXEA5K3F35C2N
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XC5VLX220-1FFG1760I
Xilinx Inc.