Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays / NSS40301MDR2G
Herstellerteilenummer | NSS40301MDR2G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NSS40301MDR2G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NSS40301MDR2G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 2 NPN (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 3A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 40V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 115mV @ 200mA, 2A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 180 @ 1A, 2V |
Leistung max | 653mW |
Frequenz - Übergang | 100MHz |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Supplier Device Package | 8-SOIC |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSS40301MDR2G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSS40301MDR2G-FT |
BC847CDXV6T1G
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NST3906DXV6T1G
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