Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays / NST847BDP6T5G
Herstellerteilenummer | NST847BDP6T5G |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-NST847BDP6T5G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NST847BDP6T5G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 2 NPN (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 45V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 15nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
Leistung max | 350mW |
Frequenz - Übergang | 100MHz |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-963 |
Supplier Device Package | SOT-963 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NST847BDP6T5G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NST847BDP6T5G-FT |
EMX5T2R
Rohm Semiconductor
EMZ2T2R
Rohm Semiconductor
EMY1T2R
Rohm Semiconductor
VT6T1T2R
Rohm Semiconductor
VT6X11T2R
Rohm Semiconductor
VT6T11T2R
Rohm Semiconductor
VT6T12T2R
Rohm Semiconductor
VT6T2T2R
Rohm Semiconductor
VT6X12T2R
Rohm Semiconductor
UMZ1NTR
Rohm Semiconductor
LFE2-6E-6TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-1FGG676C
Xilinx Inc.
XC3S1000-4FGG456I
Xilinx Inc.
XC6VCX130T-1FFG484C
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-FGG484I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V2-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M16DCF256C8G
Intel
5SGXEABN3F45I4N
Intel
LCMXO2-4000HE-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation