Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays / NST857BDP6T5G
Herstellerteilenummer | NST857BDP6T5G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NST857BDP6T5G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NST857BDP6T5G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 2 PNP (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 45V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 700mV @ 5mA, 100mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 15nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 220 @ 2mA, 5V |
Leistung max | 350mW |
Frequenz - Übergang | 100MHz |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-963 |
Supplier Device Package | SOT-963 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NST857BDP6T5G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NST857BDP6T5G-FT |
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