Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / NSTB1003DXV5T1G
Herstellerteilenummer | NSTB1003DXV5T1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NSTB1003DXV5T1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NSTB1003DXV5T1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | - |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | - |
Widerstand - Basis (R1) | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | - |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | - |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | - |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-553 |
Supplier Device Package | SOT-553 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSTB1003DXV5T1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSTB1003DXV5T1G-FT |
NSBC123EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBA114EDXV6T1G
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NSBA124EDXV6T1G
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