Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / NSTB60BDW1T1
Herstellerteilenummer | NSTB60BDW1T1 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-NSTB60BDW1T1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NSTB60BDW1T1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 150mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 22 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 140MHz |
Leistung max | 250mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSTB60BDW1T1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSTB60BDW1T1-FT |
MUN5135DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5232DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5333DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5314DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5233DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5311DW1T2G
ON Semiconductor
NSVMUN5332DW1T3G
ON Semiconductor
SMUN5311DW1T3G
ON Semiconductor
MUN5313DW1T1G
ON Semiconductor
NSTB60BDW1T1G
ON Semiconductor
XCKU035-2FBVA676I
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FG900C
Xilinx Inc.
5SGXEA9N1F45C2N
Intel
EP4S40G5H40I1
Intel
XC2V1000-4BGG575I
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-1FFG1759I
Xilinx Inc.
XC5VLX110-1FFG676C
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F45E1SG
Intel
5AGXMA5G4F31I5N
Intel