Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / NSV1C200MZ4T1G
Herstellerteilenummer | NSV1C200MZ4T1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NSV1C200MZ4T1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NSV1C200MZ4T1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 2A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 100V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 220mV @ 200mA, 2A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 120 @ 500mA, 2V |
Leistung max | 800mW |
Frequenz - Übergang | 120MHz |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-261-4, TO-261AA |
Supplier Device Package | SOT-223 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSV1C200MZ4T1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSV1C200MZ4T1G-FT |
MCH6101-TL-E
ON Semiconductor
MCH6103-TL-E
ON Semiconductor
MCH6121-TL-H
ON Semiconductor
MCH6122-TL-E
ON Semiconductor
MCH6122-TL-H
ON Semiconductor
MCH6123-TL-E
ON Semiconductor
MCH6124-TL-E
ON Semiconductor
CPH6102-TL-E
ON Semiconductor
CPH6122-TL-E
ON Semiconductor
CPH6153-P-TL-E
ON Semiconductor
AGLN015V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LCMXO256C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCS30XL-4VQG100C
Xilinx Inc.
APA300-FG256I
Microsemi Corporation
A54SX16P-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEBBR2H43C2N
Intel
XC7VX485T-2FF1761C
Xilinx Inc.
A40MX04-3PQ100
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19C7N
Intel