Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / NSV40501UW3T2G
Herstellerteilenummer | NSV40501UW3T2G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NSV40501UW3T2G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NSV40501UW3T2G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 5A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 40V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 150mV @ 400mA, 4A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 200 @ 2A, 2V |
Leistung max | 875mW |
Frequenz - Übergang | 150MHz |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 3-WDFN Exposed Pad |
Supplier Device Package | 3-WDFN (2x2) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSV40501UW3T2G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSV40501UW3T2G-FT |
2N5868
Microsemi Corporation
2N5872
Microsemi Corporation
2N5874
Microsemi Corporation
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2N5886
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LCMXO1200C-4T100C
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XC7A100T-2FTG256I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQG208
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LIF-MD6000-6MG81I
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LFE5UM-25F-6BG381C
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10M25DCF256C8G
Intel
10AX022E3F27E2LG
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EP4SE530F43C2
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LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R3F40I2SGES
Intel