Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / NSVBA114EDXV6T1G
Herstellerteilenummer | NSVBA114EDXV6T1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NSVBA114EDXV6T1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NSVBA114EDXV6T1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 500mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-563, SOT-666 |
Supplier Device Package | SOT-563-6 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVBA114EDXV6T1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSVBA114EDXV6T1G-FT |
XP0111H00L
Panasonic Electronic Components
XP0111M00L
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XP0121200L
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XP0121L00L
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XP0121M00L
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XP0121N00L
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XP0221100L
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XP0331100L
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XC6SLX16-3FT256I
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XCKU035-2FBVA676E
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG484I
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AGLN030V2-ZQNG48I
Microsemi Corporation
EPF10K30AFC256-2N
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5SGXMA5H2F35C2N
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5SGXMA5K3F35C2N
Intel
EP3SE80F1152I4
Intel
LFE3-95E-8FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel