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Herstellerteilenummer | NSVBAS21TMR6T1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NSVBAS21TMR6T1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NSVBAS21TMR6T1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 3 Independent |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 250V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 200mA (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 200mA |
Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Reverse Recovery Time (trr) | 50ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100nA @ 200V |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-74, SOT-457 |
Supplier Device Package | SC-74 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVBAS21TMR6T1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSVBAS21TMR6T1G-FT |
1PS181,135
NXP USA Inc.
1PS184,115
NXP USA Inc.
1PS184,135
NXP USA Inc.
1PS226,115
NXP USA Inc.
1PS226,135
NXP USA Inc.
1PS59SB14,115
NXP USA Inc.
1PS59SB15,115
NXP USA Inc.
1PS59SB16,115
NXP USA Inc.
1SS181,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS295(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel