Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Arrays / NSVBAS21TMR6T1G
Herstellerteilenummer | NSVBAS21TMR6T1G |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-NSVBAS21TMR6T1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NSVBAS21TMR6T1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 3 Independent |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 250V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 200mA (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 200mA |
Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Reverse Recovery Time (trr) | 50ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100nA @ 200V |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-74, SOT-457 |
Supplier Device Package | SC-74 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVBAS21TMR6T1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSVBAS21TMR6T1G-FT |
1PS181,135
NXP USA Inc.
1PS184,115
NXP USA Inc.
1PS184,135
NXP USA Inc.
1PS226,115
NXP USA Inc.
1PS226,135
NXP USA Inc.
1PS59SB14,115
NXP USA Inc.
1PS59SB15,115
NXP USA Inc.
1PS59SB16,115
NXP USA Inc.
1SS181,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS295(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
ICE40UP5K-SG48ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
XC4010XL-1TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-3TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-PQ100C
Microsemi Corporation
XC3S400AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
AGLN010V5-UCG36
Microsemi Corporation
EP4CGX75DF27C7
Intel
10M25DCF256C7G
Intel
5SGSMD8K3F40I3N
Intel
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation