Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / NSVBSS63LT1G
Herstellerteilenummer | NSVBSS63LT1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NSVBSS63LT1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NSVBSS63LT1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 100V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 2.5mA, 25mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 30 @ 25mA, 1V |
Leistung max | 225mW |
Frequenz - Übergang | 95MHz |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVBSS63LT1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSVBSS63LT1G-FT |
MJE13005G
ON Semiconductor
MJE13007
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LFE2-12SE-7TN144C
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XCKU035-L1FBVA676I
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