Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / NSVDTA143EM3T5G
Herstellerteilenummer | NSVDTA143EM3T5G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NSVDTA143EM3T5G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
NSVDTA143EM3T5G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 4.7 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 15 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 260mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-723 |
Supplier Device Package | SOT-723 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVDTA143EM3T5G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSVDTA143EM3T5G-FT |
MUN5140T1G
ON Semiconductor
MUN5141T1G
ON Semiconductor
MUN5215T1G
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MUN5237T1G
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MUN5238T1G
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MUN5240T1G
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SMUN5111T1G
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SMUN5114T3G
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SMUN5214T1G
ON Semiconductor
XCV300E-7FG456C
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG484
Microsemi Corporation
EP4CGX50CF23C8
Intel
5SGSMD4E1H29C1N
Intel
10CL006YE144I7G
Intel
5SGXMA7N3F45I3N
Intel
A1020B-2PLG44C
Microsemi Corporation
LFE2-50SE-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000ZE-3BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation