Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / NSVMMBT6517LT1G
Herstellerteilenummer | NSVMMBT6517LT1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NSVMMBT6517LT1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NSVMMBT6517LT1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 350V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 1V @ 5mA, 50mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 50nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 20 @ 50mA, 10V |
Leistung max | 225mW |
Frequenz - Übergang | 200MHz |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVMMBT6517LT1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSVMMBT6517LT1G-FT |
2SA1179N6-CPA-TB-E
ON Semiconductor
2SA1179N6-TB-E
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2SC2812N6-CPA-TB-E
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BC808-40LT1G
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Xilinx Inc.
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Lattice Semiconductor Corporation
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