Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / NSVMMBTH10LT1G
Herstellerteilenummer | NSVMMBTH10LT1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NSVMMBTH10LT1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NSVMMBTH10LT1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 25V |
Frequenz - Übergang | 650MHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
Gewinnen | - |
Leistung max | 225mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 60 @ 4mA, 10V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVMMBTH10LT1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSVMMBTH10LT1G-FT |
HFA3096BZ96
Renesas Electronics America Inc.
CA3127M
Renesas Electronics America Inc.
CA3127MZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3096B
Renesas Electronics America Inc.
HFA3096B96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127B
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127B96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128B
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128BZ96
Renesas Electronics America Inc.
XC4010XL-2TQ144I
Xilinx Inc.
LFE2-20E-7QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
A1020B-2PL68I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3C16F256C8N
Intel
5SGXMA3K3F40I3N
Intel
XC4005XL-1PC84I
Xilinx Inc.
EP2AGX65CU17C5NES
Intel
EP3SL110F780C4
Intel