Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / NSVMMBTH10LT1G
Herstellerteilenummer | NSVMMBTH10LT1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NSVMMBTH10LT1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NSVMMBTH10LT1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 25V |
Frequenz - Übergang | 650MHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
Gewinnen | - |
Leistung max | 225mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 60 @ 4mA, 10V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVMMBTH10LT1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSVMMBTH10LT1G-FT |
HFA3096BZ96
Renesas Electronics America Inc.
CA3127M
Renesas Electronics America Inc.
CA3127MZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3096B
Renesas Electronics America Inc.
HFA3096B96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127B
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127B96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128B
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3128BZ96
Renesas Electronics America Inc.
XC6SLX150-3FGG676I
Xilinx Inc.
XC4008E-4PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE1500-2FG484I
Microsemi Corporation
M1AFS250-2FG256I
Microsemi Corporation
A40MX02-PLG68A
Microsemi Corporation
EP20K200FI484-2N
Intel
10AX032H4F34I3SG
Intel
XC5VFX30T-2FFG665C
Xilinx Inc.
XC5VLX50-1FFG1153C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6U19A7N
Intel