Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / NSVMMUN2135LT1G
Herstellerteilenummer | NSVMMUN2135LT1G |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-NSVMMUN2135LT1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
NSVMMUN2135LT1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 246mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVMMUN2135LT1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSVMMUN2135LT1G-FT |
SMMUN2134LT1G
ON Semiconductor
MMUN2135LT1G
ON Semiconductor
MUN2215T1G
ON Semiconductor
MMUN2134LT1G
ON Semiconductor
SMUN2216T1G
ON Semiconductor
SMMUN2211LT3G
ON Semiconductor
MMUN2233LT1G
ON Semiconductor
MUN2235T1G
ON Semiconductor
NSVMMUN2131LT1G
ON Semiconductor
MMUN2211LT1G
ON Semiconductor
EX64-TQG64I
Microsemi Corporation
XCVU080-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z2QNG48
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256M
Microsemi Corporation
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484C4L
Intel
5SGXMB5R2F43C2LN
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
APA150-TQ100
Microsemi Corporation
5AGXFA7H4F35C4N
Intel