Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / NSVMUN2112T1G
Herstellerteilenummer | NSVMUN2112T1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NSVMUN2112T1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NSVMUN2112T1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 22 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 22 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 230mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SC-59-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVMUN2112T1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSVMUN2112T1G-FT |
MMUN2134LT1G
ON Semiconductor
SMUN2216T1G
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SMMUN2211LT3G
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MMUN2233LT1G
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EPF10K10ATC144-1
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EP2C35U484C8N
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10M16DCF484C7G
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A40MX04-2PL44I
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XCKU040-3SFVA784E
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M7A3P1000-2FGG144
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LFE3-70EA-7FN1156C
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LFE2-20E-5F672I
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LFE3-95E-8FN484C
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10AX090H2F34I2LG
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