Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / NTH027N65S3F-F155
Herstellerteilenummer | NTH027N65S3F-F155 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NTH027N65S3F-F155 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | FRFET®, SuperFET® II |
NTH027N65S3F-F155 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 75A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27.4 mOhm @ 35A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 7.5mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 259nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7690pF @ 400V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 595W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-247-3 |
Paket / fall | TO-247-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTH027N65S3F-F155 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NTH027N65S3F-F155-FT |
FDA62N28
ON Semiconductor
FDA75N28
ON Semiconductor
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FQA10N60C
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FQA10N80
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M2GL025T-1VFG256I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-1
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XC5VLX30-1FFG676C
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