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ON Semiconductor NTJS3151PT2G
- MFG-Teilenummer
- NTJS3151PT2G
- verfügbare Anzahl
- 59770 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.08712
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- ON Semiconductor
- Kurze Beschreibung
- - MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- NTJS3151PT2G.pdf
NTJS3151PT2G Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | NTJS3151PT2G |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-NTJS3151PT2G |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| NTJS3151PT2G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 12V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 2.7A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 3.3A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 400mV @ 100µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 8.6nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 850pF @ 12V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 625mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Paket / fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| NTJS3151PT2G Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | NTJS3151PT2G-FT |
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